光催化氧化法除臭原理

光催化氧化法采用催化剂可以加速液相氧化分解恶臭物的速率。

　　利用二氧化钕作为催化剂的光催化氧化法对恶臭有较好的去除作用。在近20年的研究 过程中发现光催化技术直接用空气中的02作氧化剂，反应条件温和（常温、常压），对几 乎所有污染物均具有净化能力。常见的光催化剂多为金属氧化物或硫化物，如TiC)2、ZnO、 ZnS、CdS及PbS等。

　　但由于光腐蚀和化学腐蚀的原因，实用性较好的有TiC)2 *ZnO，其 中丁102使用最为广泛。Ti02的综合性能最好，其光催化活性高（高于ZnO)，化学性质稳 定，氧化还原性强，难溶，无毒且成本低，是研究及应用最广泛的单一化合物光催化剂。半 导体光催化作用的本质是在光电转换中进行氧化还原反应。根据半导体的电子结构，当其吸 收一个能量不小于其带隙能（?g)的光子时，电子（e_)会从充满的价带跃迁到空的导带， 而在价带留下带正电的空穴（h+)。价带空穴具有强氧化性，而导带电子具有强还原性，它 们可以直接与反应物作用，还可以与吸附在催化剂上的其他电子供体和受体反应。例如空穴 可以使H20氧化，电子使空气中的02还原，生成H2()2、.OH基团和Hoy,这些基团 氧化能力都很强，能有效地将恶臭污染物氧化，最终将其分解为co2、H20等无机小分子， 达到消除恶臭的目的。